显示器驱动板安装教程_ast显示器驱动

1.内存故障分析与解决

2.PC中的问题

3.详细介绍一下有关硬件术语的全称

4.BIOS是什么意思

我刚买手机能下一百个软件，现在有50个就很满了，刚买不到半年，居然原因很复杂，总之说了你们也不懂，一定要知道建议你看看手机内存简介

在计算机的组成结构中，有一个很重要的部分，就是存储器。存储器是用来存储程序和数据的部件，对于计算机来说，有了存储器，才有记忆功能，才能保证正常工作。存储器的种类很多，按其用途可分为主存储器和存储器，主存储器又称内存储器（简称内存，港台称之为记忆体）。

内存是电脑中的主要部件，它是相对于外存而言的。我们平常使用的程序，如Windows操作系统、打字软件、游戏软件等，一般都是安装在硬盘等外存上的，但仅此是不能使用其功能的，必须把它们调入内存中运行，才能真正使用其功能，我们平时输入一段文字，或玩一个游戏，其实都是在内存中进行的。通常我们把要永久保存的、大量的数据存储在外存上，而把一些临时的或少量的数据和程序放在内存上，当然内存的好坏会直接影响电脑的运行速度。

[编辑本段]内存概述

内存就是存储程序以及数据的地方，比如当我们在使用WPS处理文稿时，当你在键盘上敲入字符时，它就被存入内存中，当你选择存盘时，内存中的数据才会被存入硬（磁）盘。在进一步理解它之前，还应认识一下它的物理概念。

内存一般用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），以及高速缓存（CACHE）。只不过因为RAM是其中最重要的存储器。S（synchronous）DRAM 同步动态随机存取存储器：SDRAM为168脚，这是目前PENTIUM及以上机型使用的内存。SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使CPU和RAM能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，每一个时钟脉冲的上升沿便开始传递数据，速度比EDO内存提高50%。DDR（DOUBLE DATA RATE）RAM ：SDRAM的更新换代产品，他允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度。

●只读存储器（ROM）

ROM表示只读存储器（Read Only Memory），在制造ROM的时候，信息（数据或程序）就被存入并永久保存。这些信息只能读出，一般不能写入，即使机器掉电，这些数据也不会丢失。ROM一般用于存放计算机的基本程序和数据，如BIOS ROM。其物理外形一般是双列直插式（DIP）的集成块。

●随机存储器（RAM）

随机存储器（Random Access Memory）表示既可以从中读取数据，也可以写入数据。当机器电源关闭时，存于其中的数据就会丢失。我们通常购买或升级的内存条就是用作电脑的内存，内存条（SIMM）就是将RAM集成块集中在一起的一小块电路板，它插在计算机中的内存插槽上，以减少RAM集成块占用的空间。目前市场上常见的内存条有1G／条,2G/条,4G/条等。

●高速缓冲存储器（Cache）

Cache也是我们经常遇到的概念，也就是平常看到的一级缓存(L1 Cache)、二级缓存(L2 Cache)、缓存(L3 Cache)这些数据，它位于CPU与内存之间，是一个读写速度比内存更快的存储器。当CPU向内存中写入或读出数据时，这个数据也被存储进高速缓冲存储器中。当CPU再次需要这些数据时，CPU就从高速缓冲存储器读取数据，而不是访问较慢的内存，当然，如需要的数据在Cache中没有，CPU会再去读取内存中的数据。

●物理存储器和地址空间

物理存储器和存储地址空间是两个不同的概念。但是由于这两者有十分密切的关系，而且两者都用B、KB、MB、GB来度量其容量大小，因此容易产生认识上的混淆。初学者弄清这两个不同的概念，有助于进一步认识内存储器和用好内存储器。

物理存储器是指实际存在的具体存储器芯片。如主板上装插的内存条和装载有系统的BIOS的ROM芯片，显示卡上的显示RAM芯片和装载显示BIOS的ROM芯片，以及各种适配卡上的RAM芯片和ROM芯片都是物理存储器。

存储地址空间是指对存储器编码（编码地址）的范围。所谓编码就是对每一个物理存储单元（一个字节）分配一个号码，通常叫作“编址”。分配一个号码给一个存储单元的目的是为了便于找到它，完成数据的读写，这就是所谓的“寻址”（所以，有人也把地址空间称为寻址空间）。

地址空间的大小和物理存储器的大小并不一定相等。举个例子来说明这个问题：某层楼共有17个房间，其编号为801～817。这17个房间是物理的，而其地址空间用了三位编码，其范围是800～899共100个地址，可见地址空间是大于实际房间数量的。

对于386以上档次的微机，其地址总线为32位，因此地址空间可达2的32次方,即4GB。（但是我们常见的32位操作系统windows xp却最多只能识别或者使用3.25G的内存，即使64位的操作系统vista虽然能识别4G的内存，却也最多只能使用3.25G的内存。）

好了，现在可以解释为什么会产生诸如：常规内存、保留内存、上位内存、高端内存、扩充内存和扩展内存等不同内存类型。

[编辑本段]内存概念

各种内存概念

这里需要明确的是，我们讨论的不同内存的概念是建立在寻址空间上的。

IBM推出的第一台PC机用的CPU是8088芯片，它只有20根地址线，也就是说，它的地址空间是1MB。

PC机的设计师将1MB中的低端640KB用作RAM，供DOS及应用程序使用，高端的384KB则保留给ROM、适配卡等系统使用。从此，这个界限便被确定了下来并且沿用至今。低端的640KB就被称为常规内存即PC机的基本RAM区。保留内存中的低128KB是显示缓冲区，高64KB是系统BIOS（基本输入／输出系统）空间，其余192KB空间留用。从对应的物理存储器来看，基本内存区只使用了512KB芯片，占用0000至7FFFF这512KB地址。显示内存区虽有128KB空间，但对单色显示器（MDA卡）只需4KB就足够了，因此只安装4KB的物理存储器芯片，占用了B0000至B0FFF这4KB的空间，如果使用彩色显示器（CGA卡）需要安装16KB的物理存储器，占用B8000至BBFFF这16KB的空间，可见实际使用的地址范围都小于允许使用的地址空间。

在当时（1980年末至1981年初）这么“大”容量的内存对PC机使用者来说似乎已经足够了，但是随着程序的不断增大，图象和声音的不断丰富，以及能访问更大内存空间的新型CPU相继出现，最初的PC机和MS－DOS设计的局限性变得越来越明显。

●1.什么是扩充内存？

到年，即286被普遍接受不久，人们越来越认识到640KB的限制已成为大型程序的障碍，这时，Intel和Lotus，这两家硬、软件的杰出代表，联手制定了一个由硬件和软件相结合的方案，此方法使所有PC机存取640KB以上RAM成为可能。而Microsoft刚推出Windows不久，对内存空间的要求也很高，因此它也及时加入了该行列。

在1985年初，Lotus、Intel和Microsoft三家共同定义了LIM－EMS，即扩充内存规范，通常称EMS为扩充内存。当时，EMS需要一个安装在I／O槽口的内存扩充卡和一个称为EMS的扩充内存管理程序方可使用。但是I／O插槽的地址线只有24位（ISA总线），这对于386以上档次的32位机是不能适应的。所以，现在已很少使用内存扩充卡。现在微机中的扩充内存通常是用软件如DOS中的EMM386把扩展内存模拟或扩充内存来使用。所以，扩充内存和扩展内存的区别并不在于其物理存储器的位置，而在于使用什么方法来读写它。下面将作进一步介绍。

前面已经说过扩充存储器也可以由扩展存储器模拟转换而成。EMS的原理和XMS不同，它用了页帧方式。页帧是在1MB空间中指定一块64KB空间（通常在保留内存区内，但其物理存储器来自扩展存储器），分为4页，每页16KB。EMS存储器也按16KB分页，每次可交换4页内容，以此方式可访问全部EMS存储器。符合EMS的驱动程序很多，常用的有EMM386.EXE、QEMM、TurboEMS、386MAX等。DOS和Windows中都提供了EMM386.EXE。

●2.什么是扩展内存？

我们知道，286有24位地址线，它可寻址16MB的地址空间，而386有32位地址线，它可寻址高达4GB的地址空间，为了区别起见，我们把1MB以上的地址空间称为扩展内存XMS（eXtend memory）。

在386以上档次的微机中，有两种存储器工作方式，一种称为实地址方式或实方式，另一种称为保护方式。在实方式下，物理地址仍使用20位，所以最大寻址空间为1MB，以便与8086兼容。保护方式用32位物理地址，寻址范围可达4GB。DOS系统在实方式下工作，它管理的内存空间仍为1MB，因此它不能直接使用扩展存储器。为此，Lotus、Intel、AST及Microsoft公司建立了MS－DOS下扩展内存的使用标准，即扩展内存规范XMS。我们常在Config.sys文件中看到的Himem.sys就是管理扩展内存的驱动程序。

扩展内存管理规范的出现迟于扩充内存管理规范。

●3.什么是高端内存区？

在实方式下，内存单元的地址可记为：

段地址：段内偏移

通常用十六进制写为XXXX：XXXX。实际的物理地址由段地址左移4位再和段内偏移相加而成。若地址各位均为1时，即为FFFF：FFFF。其实际物理地址为：FFF0＋FFFF=10FFEF，约为1088KB（少16字节），这已超过1MB范围进入扩展内存了。这个进入扩展内存的区域约为64KB，是1MB以上空间的第一个64KB。我们把它称为高端内存区HMA（High Memory Area）。HMA的物理存储器是由扩展存储器取得的。因此要使用HMA，必须要有物理的扩展存储器存在。此外HMA的建立和使用还需要XMS驱动程序HIMEM.SYS的支持，因此只有装入了HIMEM.SYS之后才能使用HMA。

●4.什么是上位内存？

为了解释上位内存的概念，我们还得回过头看看保留内存区。保留内存区是指640KB～KB（共384KB）区域。这部分区域在PC诞生之初就明确是保留给系统使用的，用户程序无法插足。但这部分空间并没有充分使用，因此大家都想对剩余的部分打主意，分一块地址空间（注意：是地址空间，而不是物理存储器）来使用。于是就得到了又一块内存区域UMB。

UMB（Upper Memory Blocks）称为上位内存或上位内存块。它是由挤占保留内存中剩余未用的空间而产生的，它的物理存储器仍然取自物理的扩展存储器，它的管理驱动程序是EMS驱动程序。

●5.什么是SHADOW（影子）内存？

对于细心的读者，可能还会发现一个问题：即是对于装有1MB或1MB以上物理存储器的机器，其640KB～KB这部分物理存储器如何使用的问题。由于这部分地址空间已分配为系统使用，所以不能再重复使用。为了利用这部分物理存储器，在某些386系统中，提供了一个重定位功能，即把这部分物理存储器的地址重定位为KB～1408KB。这样，这部分物理存储器就变成了扩展存储器，当然可以使用了。但这种重定位功能在当今高档机器中不再使用，而把这部分物理存储器保留作为Shadow存储器。Shadow存储器可以占据的地址空间与对应的ROM是相同的。Shadow由RAM组成，其速度大大高于ROM。当把ROM中的内容（各种BIOS程序）装入相同地址的Shadow RAM中，就可以从RAM中访问BIOS，而不必再访问ROM。这样将大大提高系统性能。因此在设置CMOS参数时，应将相应的Shadow区设为允许使用（Enabled）。

●6、什么是奇/偶校验？

奇/偶校验（ECC）是数据传送时用的一种校正数据错误的一种方式，分为奇校验和偶校验两种。

如果是用奇校验，在传送每一个字节的时候另外附加一位作为校验位，当实际数据中“1”的个数为偶数的时候，这个校验位就是“1”，否则这个校验位就是“0”，这样就可以保证传送数据满足奇校验的要求。在接收方收到数据时，将按照奇校验的要求检测数据中“1”的个数，如果是奇数，表示传送正确，否则表示传送错误。

同理偶校验的过程和奇校验的过程一样，只是检测数据中“1”的个数为偶数。

●1.什么是CL延迟？

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

还有另的诠释：内存延迟基本上可以解释成是系统进入数据进行存取操作就绪状态前等待内存响应的时间。

打个形象的比喻，就像你在餐馆里用餐的过程一样。你首先要点菜，然后就等待服务员给你上菜。同样的道理，内存延迟时间设置的越短，电脑从内存中读取数据的速度也就越快，进而电脑其他的性能也就越高。这条规则双双适用于基于英特尔以及AMD处理器的系统中。由于没有比2-2-2-5更低的延迟，因此国际内存标准组织认为以现在的动态内存技术还无法实现0或者1的延迟。

通常情况下，我们用4个连着的阿拉伯数字来表示一个内存延迟，例如2-2-2-5。其中，第一个数字最为重要，它表示的是CAS Latency,也就是内存存取数据所需的延迟时间。第二个数字表示的是RAS-CAS延迟，接下来的两个数字分别表示的是RAS预充电时间和Act-to-Precharge延迟。而第四个数字一般而言是它们中间最大的一个。

总结

经过上面分析，内存储器的划分可归纳如下：

●基本内存 占据0～640KB地址空间。

●保留内存 占据640KB～KB地址空间。分配给显示缓冲存储器、各适配卡上的ROM和系统ROM BIOS，剩余空间可作上位内存UMB。UMB的物理存储器取自物理扩展存储器。此范围的物理RAM可作为Shadow RAM使用。

●上位内存（UMB） 利用保留内存中未分配使用的地址空间建立，其物理存储器由物理扩展存储器取得。UMB由EMS管理，其大小可由EMS驱动程序设定。

●高端内存（HMA） 扩展内存中的第一个64KB区域（KB～1088KB）。由HIMEM.SYS建立和管理。

●XMS内存 符合XMS规范管理的扩展内存区。其驱动程序为HIMEM.SYS。

●EMS内存 符合EMS规范管理的扩充内存区。其驱动程序为EMM386.EXE等。

内存：随机存储器（RAM），主要存储正在运行的程序和要处理的数据。1：安装到SD卡的软件也是要占用系统内存的。

2：可用空间小是因为你的软件安装的太多了。

3：想看内部存储首先需要ROOT，然后安装RE管理器

4：解决办法 1）删软件 2）下载一个虚拟内存（需要ROOT）

内存故障分析与解决

1.你好，在出现上述你所描述的情况下，建议你联系指定的售后服务商或是指定的售后维修站，将上述情况如实反馈给他们以寻求相应的帮助！品牌机可以拨打800的免费报修电话，兼容机可以联系相应的售后维护商！这样上述的问题就会迎刃而解。

2.首先将电脑主板的BIOS设置成光盘启动模式，然后将所需要安装的系统盘放入光盘驱动器内，根据显示器显示的中文提示一步一步安装即可解决你所反映的问题！

3.可以尝试替换相关计算机硬件的排除法来判断出现上述故障的原因。

4.拆掉硬盘，安装到另一台计算机上，删除“%systemroot% \ system32 \ config \ sam即可。XP系统还需要在DOS下运行：COPY c:\WINDOWS\REPAIR\SAM C:\WINDOWS\SYSTEM32\CONFIG

5.先把COMES电池放电，如果不行的话，就进入安全模式把显卡卸掉重装。

6.进入“命令提示符”窗口，输入：sfc / purgecache（回车） sfc / scannow（回车）。如果问题没有解决，那么就有可能是注册表的问题了，你可以直接在“运行”中输入：regsvr32 wiz. Cpl，回车后故障就可以解决了。

7.打开注册表，[HKEY_USERS\S-1-5-21-527237240-776561741-839522115-500

\Software\Microsoft\Windows\CurrentVersion\Explorer\Discardable\PostSetup\ShellNew]，检查这些项值，把没有的删除掉。

8.进入故障恢复控制台输入：COPY G: \ I 386 \ NTLDR C: \ (回车) COPY G: \ I 386 \ NTDETECT . COM C: \ (回车)

如果系统提示是否覆盖文件，键入Y，回车。接着键入C：\ BOOT . INI.如果正常显示BOOT . INI 中的内容则可重启，问题应该可以解决。如果显示为“系统找不到指定的文件和目录”那么意味着BOOT .INI 文件损坏或丢失，可到其他安装windows2000的电脑中复制该文件夹拷贝到 C:\下，重启即可。

9.打开注册表，HKEY_LOCAL_MACHINE\SOFTWARE\Microsoft\Windows\CurrentVersion\Explorer\Advanced\Folder\Hidden\SHOWALL下将Checkedvalue的键值由“0”改为“1”。

10.首先要去掉C盘根目录下文件MSDOS.SYS的只读、隐藏、系统等属性；接着用记事本打开它，将其中的“AutoScan=1”改为“AutoScan=0”，最后保存并将文件恢复成原来的属性。如此设置之后，非正常关机后重启时就不会自动进行磁盘扫描了。

11.最后再提一个建议：许多人喜欢给自己的电脑硬盘分区加上中文卷标，如系统、软件、游戏、音乐等，我觉得你的电脑最多也就5个盘，那个盘上放什么东西自己应该很清楚，不必再要卷标，要卷标还有一个不好之处就是重装系统时，在DOS下无法删除这些分区，因为在DOS下删除分区时需要输入卷标，而DOS下无法显示中文的卷标。

PC中的问题

1、无法正常开机

处理建议：遇到这类现象主要有三个解决的途径：第一，更换内存的位置，这是最为简单也是最为常用的一种方法，一般是把低速的老内存插在靠前的位置上。第二，在基本能开机的前提下，进入BIOS设置，将与内存有关的设置项依照低速内存的规格设置。比如：使用其中的一根内存（如果是[url="]DDR[/url]333和DDR400的内存混合使用，最好使用DDR333的内存），将计算机启动，进入BIOS设置，将内存的工作频率及反应时间调慢，以老内存可以稳定运行为准，方可关机插入第二根内存。

2、计算机运行不稳定

处理建议：遇到这类问题的出现主要是内存兼容性造成的，解决的基本思路是与上面大体相同。第一，更换内存的位置。第二，在BIOS中关闭内存由SPD自动配置的选项，改为手动配置。第三，如果主板带有I/O电压调节功能，可将电压适当调高，加强内存的稳定性。

3、混插后内存容量识别不正确

处理建议：造成这种现象的原因，第一种可能是主板芯片组自身的原因所造成的，一些老主板只支持256MB内存的容量（i815系列只支持512MB），超出的部分，均不能识别和使用。当然还有一些情况是由于主板无法支持高位内存颗粒造成的，解决这类问题的惟一方法就是更换主板或者内存。另外在一些情况下通过调整内存的插入顺序也可以解决此问题。

内存混插不稳定的问题是一个老问题了。面对这种情况，笔者建议您在选购内存条时，要选择象金士顿、金泰克这些高品质内存，因为它们的电气兼容性及稳定性都比较出色，出现问题的几率要低一些，并且售后也都有保障。

另一部分是因为内存在使用过程中，金手指与主板的插槽接触不良引起或者是中了等原因引起的问题。

4、电脑无法正常启动。

打开电脑主机电源后机箱报警喇叭出现长时间的短声鸣叫，或是打开主机电源后电脑可以启动但无法正常进入操作系统，屏幕出现"Error:Unable to ControlA20 Line"的错误信息后并死机。

处理建议：出现上面故障多数是由于内存于主板的插槽接触不良引起。处理方法是打开机箱后拔出内存，用酒精和干净的纸巾对擦试内存的金手指和内存插槽，并检查内存插槽是否有损坏的迹象，擦试检查结束后将内存重新插入，一般情况下问题都可以解决，如果还是无法开机则将内存拔出插入另外一条内存插槽中测试，如果此时问题仍存在，则说明内存已经损坏，此时只能更换新的内存条。

　 5、开机后显示如下信息:“ON BOARD PARLTY ERROR”。

处理建议：出面这类现象可能的原因有三种，第一，CMOS中奇偶较验被设为有效，而内存条上无奇偶较验位。第二，主板上的奇偶较验电路有故障。第三，内存条有损坏，或接触不良。处理方法，首先检查CMOS中的有关项，然后重新插一下内存条试一试，如故障仍不能消失，则是主板上的奇偶较验电路有故障，换主板。

6、Windows系统中运行DOS状态下的应用软件(如DOS下运行的游戏软件等)时出现黑屏、花屏、死机现象。

处理建议：出现这种故障一般情况是由于软件之间分配、占用内存冲突所造成的，一般表现为黑屏、花屏、死机，解决的最好方法是退出windows操作系统，在纯DOS状态下运行这些程序。

7、Windows运行速度明显变慢，系统出现许多有关内存出错的提示。

处理建议：出现这类故障一般是由于在windows下运行的应用程序非法访问内存、内存中驻留了太多不必要的插件、应用程序、活动窗口打开太多、应用程序相关配置文件不合理等原因均可以使系统的速度变慢，更严重的甚至出现死机。这种故障的解决必须用清除一些非法插件（如3721）、内存驻留程序、减少活动窗口和调整配置文件(INI)等，如果在运行某一程序时出现速度明显变慢，那么可以通过重装应用程序的方法来解决，如果在运行任何应用软件或程序时都出现系统变慢的情况，那么最好的方法便是重新安装操作系统。

8、内存被程序感染后驻留内存中。

CMOS参数中内存值的大小被修改，导致内存值与内存条实际内存大小不符，在使用时出现速度变慢、系统死机等现象。

处理建议：先用最新的杀毒软件对系统进行全面的杀毒处理，彻底清理系统中的所以。由于CMOS中已经被感染，因此可以通过对CMOS进行放电处理后恢复其默认值。方法是先将CMOS短接放电，重新启动机器，进入CMOS后仔细检查各项硬件参数，正确设置有关内存的参数值。

9、电脑升级进行内存扩充，选择了与主板不兼容的内存条。

处理建议：在升级电脑的内存条之前一定要认真查看主板主使用说明，如果主板不支持512M以上大容量内存，即使升级后也无法正常使用。如果主板支持，但由于主板的兼容性不好而导致的问题，那么可以升级主板的BIOS，看看是否能解决兼容问题。

详细介绍一下有关硬件术语的全称

内存方面的东西，自己看吧

P(Accelerated Graphics Port) －图形加速接口

Intel开发的用于提高图形处理速度的接口。它可以让图形的数据流直接在显卡主控芯片和内存之间通信，不必经过显存。

Access Time－存取时间

RAM 完成一次数据存取所用的平均时间（以纳秒为单位）。存取时间等于地址设置时间加延迟时间（初始化数据请求的时间和访问准备时间）。

Address-地址

就是内存每个字节的编号。目的是按照该编号准确地到该编号的内存去存取数据。

ANSI (American National Standards Institute)

美国国家标准协会 - 一个专门开发非官方标准的非赢利机构，其目的在于提高美国工业企业的生产率和国际竞争力。

ASCII （American Standard Code for Information Interchange）

美国信息互换标准代码--将文本编码为二进制数的一种方法。 ASCII 编码体系用了8位二进制数的256种组合，来映射键盘的所有按键。用于数据处理系统，数据通讯系统及相应设备中进行信息交换。ASCII字符集由控制字符和图形字符组成。

Async SRAM-异步静态内存

一种较为陈旧的SRAM，通常用来做电脑上的Level 2 Cache。

BSB (Backside Bus)

后端总线- CPU 和 L2 cache 之间的数据通道。

Bandwidth－带宽

1、 传输数据信息的能力。信息交换的形式多种多样，可以通过但根电线，也可以通过总线或信道的并行线。一言以蔽之，就是单位时间内数据的移动量，通常用位/ 秒、字节/秒或赫兹（周/秒）表示。

2、 内存的数据带宽：一般指内存一次能处理的数据宽度，也就是一次能处理若干位的数据。30线内存条的数据带宽是8位，72线为32位，168线可达到64位。

Bank （参照memory bank）－内存库

在内存行业里，Bank至少有三种意思，所以一定要注意。

1、 在SDRAM内存模组上，"bank 数"表示该内存的物理存储体的数量。（等同于"行"/Row）

2、 Bank还表示一个SDRAM设备内部的逻辑存储库的数量。（现在通常是4个bank）。

3、 它还表示DIMM 或 SIMM连接插槽或插槽组，例如bank 1 或 bank A。这里的BANK是内存插槽的计算单位（也叫内存库），它是电脑系统与内存之间数据总线的基本工作单位。只有插满一个BANK，电脑才可以正常开机。举个例子，奔腾系列的主板上，1个168线槽为一个BANK，而2个72线槽才能构成一个BANK，所以72线内存必须成对上。原因是，168线内存的数据宽度是64位，而72线内存是32位的。主板上的BANK编号从BANK0开始，必须插满BANK0才能开机，BANK1以后的插槽留给日后升级扩充内存用，称做内存扩充槽。

Bank Schema －存储体规划

一种图解内存配置的方法。存储体规划由若干用来表示电脑主板上的内存插槽的行或列组成。行表示独立的插槽；列代表bank数。

Base Rambus －初级的Rambus内存

第一代的Rambus内存技术，1995年面市。

Baud －波特

1、 表示通讯速率的一种单位，等于每秒传输一个码元。

2、 在异步传输中，表示调制速率的一种单位，相当于每秒一个单位间隔。

BGA (Ball Grid Array)－球状引脚栅格阵列封装技术

这是最近几年开始流行的高密度表面装配封装技术。在封装的底部，引脚都成球状并排列成一个类似于格子的图案，由此命名为BGA。目前的主板控制芯片组多用此类封装技术，材料多为陶瓷。

Binary －二进制

把数字或信息表示为若干bit的一种编码规则。二进制（也叫base 2）中，所有数字都是由1和0这两个数字的组合来表示。

BIOS (Basic Input-Output System) －基本输入/输出系统

启动时自动加载的例行程序，用来为计算机的各种操作做准备。

Bit－位、比特

计算机所能处理信息的最小单位。因为是二进制，所以一个bit的值不是1就是0。

BLP－底部引出塑封技术

新一代内存芯片封装技术，其芯片面积与封装面积之比大于1：1.1，符合CSP封装规范。此类内存芯片不但高度和面积小，而且电气特性也得到了提高。

Buffer－缓冲区

一个用于存储速度不同步的设备或优先级不同的设备之间传输数据的区域。通过缓冲区，可以使进程之间的相互等待变少，从而使从速度慢的设备读入数据时，速度快的设备的操作进程不发生间断。

Buffered Memory－带缓冲的内存

带有缓存的内存条。缓存能够二次推动信号穿过内存芯片，而且使内存条上能够放置更多的内存芯片。带缓存的内存条和不带缓存的内存条不能混用。电脑的内存控制器结构，决定了该电脑上带缓存的内存还是上不带缓存的内存。

BEDO (Burst EDO RAM) －突发模式EDO随机存储器

BEDO内存能在一个脉冲下处理四个内存地址。形象地说，它一次可以传输一批数据。总线的速度范围从50MHz 到 66MHz (与此相比，EDO内存速度是33MHz，FPM内存的速度是25MHz)。

Burst Mode－突发模式

当处理器向一个独立的地址发出数据请求时，引发的数据区块（连续的一系列地址）高速传输现象

Bus－总线

计算机的数据通道，由各种各样的并行电线组成。CPU、内存、各种输入输出设备都是通过总线连接的。

Bus Cycle－总线周期

主存和CPU之间的一次数据交流。

Byte－字节

信息量的单位，每八位构成一个字节。字节是一个用于衡量电脑处理信息量的常用的基本单位；几乎电脑性能和技术规格的各个方面都用字节数或其若干倍数来衡量（例如KB，MB）。

Cacheability－高速缓存能力

主板芯片组的高速缓存能力，是指主存能够被L2 Cache所高速缓存的最大值。比方说，TX芯片组的主板由于L2 Cache对主存的映射（Ming）的上限是64MB，所以当CPU读取64MB之后的内存时无法使用高速缓存，系统性能就无法提高了。

Cache Memory－高速缓存存储器

也叫cache RAM，在CPU旁边或附带在CPU上的一小块高速内存(一般少于 1M联系着CPU和系统内存。Cache memory 为处理器提供最常用的数据和指令。Level 1 cache也叫主高速缓存 (primary cache)， 是离CPU最近的高速缓存，容量只有8KB~6KB，但速度相当快。Level 2 cache 也叫次高速缓存(secondary cache)，是离CPU第二近的高速缓存，通常焊接在主板上，容量一般为64KB~1MB，速度稍慢。

CAS (Column Address Strobe)－列地址选通脉冲

在内存的寻址中，锁定数据地址需要提供行地址和列地址，行地址的选通由RAS控制，列地址的选通由CAS决定。

CL（CAS Latency ）－列地址选通脉冲时间延迟

CL反应时间是衡定内存的另一个标志。CL是CAS Latency的缩写，指的是内存存取数据所需的延迟时间，简单的说，就是内存接到CPU的指令后的反应速度。一般的参数值是2和3两种。数字越小，代表反应所需的时间越短。在早期的PC133内存标准中，这个数值规定为3，而在Intel重新制订的新规范中，强制要求CL的反应时间必须为2，这样在一定程度上，对于内存厂商的芯片及PCB的组装工艺要求相对较高，同时也保证了更优秀的品质。因此在选购品牌内存时，这是一个不可不察的因素。

CDRAM （Cache DRAM）－快取动态随机存储器

同EDRAM（Enhanced DRAM）

Checksum－检验和，校验和

在数据处理和数据通信领域中，用于校验目的的一组数据项的和。这些数据项可以是数字或在计算检验和过程中看作数字的其它字符串。

参考Parity（校验）

Chipset－芯片组

把主存、P插槽、PCI插槽、ISA插槽连接到CPU的外部控制逻辑电路，通常是两个或两个以上的微芯片，故称做芯片组。芯片组通常由几个控制器构成，这些控制器能够控制信息流在处理器和其他构件之间的流动方式。

Chip-Scale Package (CSP)－芯片级封装

薄芯片封装，其电路连接通常是用BGA（球状引脚格状阵列）。这种封装形式一般用于RDRAM（总线式动态内存）和 flash memory（闪存）。

Compact Flash－紧凑式闪存

一种结构轻小的存储器，用于可拆卸的存储卡。CompactFlash 卡持久耐用，工作电压低，掉电后数据不丢失。应用范围包括：数码相机、移动电话、打印机、掌上电脑、寻呼机，以及录音设备。

Concurrent Rambus－并发式总线式内存

Rambus内存的第二代技术产品。Concurrent Rambus内存一般用于图形工作站、数码电视、游戏机。

Continuity RIMM (C-RIMM)－连续性总线式内存模组

一种不带内存芯片的直接总线式内存模组（Direct Rambus）。C-RIMM 为信号提供了一个连续的通道。在直接总线式内存系统中，开放的连接器必须安装C-RIMM。

CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semicomductor）－互补金属氧化物半导体

用于晶体管的一种半导体技术，结合了N型与P型晶体管的优势，现在主要用于电脑芯片，如存储器、 处理器等。

CPU (Central Processing Unit)－中央处理单元

计算机芯片的一种，其主要职能是解释命令和运行程序。CPU也叫处理器（processor）或微处理器（microprocessor）。

Credit Card Memory －内存

主要用于膝上型电脑和笔记本电脑的一种内存。其外型尺寸犹如一个，因此而得名。

CSRAM

同Pentium II Xeron匹配的一种高速缓存，容量为512KB。

DDR(Double Data Rate SDRAM)－ 双数据输出同步动态存储器。

DDR SDRAM 从理论上来讲，可以把RAM的速度提升一倍，它在时钟的上升沿和下降沿都可以读出数据。

Desktop－台式机，桌上型电脑

Die－模子，芯片颗粒

DIME （Direct Memory Execution）

直接内存执行功能

DIMM（Dual-In line Memory Module）－双边接触内存模组

形象的说：内存条正反两面金手指是不导通的，如常见的有100线、168线、200线内存（long Dimm）和72线、144线（SO-Dimm）。DIMM一般有64位带宽，并且正反面相同位置的引脚不同；而SIMM一般只有32位带宽，需要两条两条同时使用，一般通过72线金手指与主板相连。

Direct Rambus－直接总线式随机存储器

Rambus 技术的第三代产品，它为高性能的PC机提供了一种全新的DRAM 结构。现在的SDRAM在64-bit的宽带总线上速度只有100MHz；与此相对照，Direct Rambus在16-bit的窄通道上，其数据传输速度可高达800MHz 。

DIP (Dual In-line Package)－双列直插式封装，双入线封装

DRAM 的一种元件封装形式。DIP封装的芯片可以插在插座里，也可以永久地焊接在印刷电路板的小孔上。在内存颗粒直接插在主板上的时代，DIP 封装形式曾经十分流行。 DIP还有一种派生方式SDIP（Shrink DIP,紧缩双入线封装），它比DIP的针脚密度要高6六倍。

Direct RDRAM－直接总线式动态随机存储器

该设备的控制线和数据线分开，带有16位接口、带宽高达800 MHz，效率大于90% 。一条Direct RDRAM 使用两个8-bit 通道、工作电压2.5V ，数据传输率可达到1.6 GBps 。 它用一个分离的8位总线（用于地址和控制信号），并拓宽了8到16位或9到18位数据通道，时钟达到400 MHz ，从而在每个针（pin）800Mbps的情况下（共计1.6 GBS）使可用数据带宽最大化。

DMA （Direct Memory Access）－直接内存存取

通常情况下，硬盘光驱等设备和内存之间的数据传输是由CPU来控制的。但在DMA模式下，CPU只须向DMA控制器下达指令，让DMA控制器来处理数的传送，数据传送完毕再把信息反馈给CPU。这样，CPU的负担减轻了，数据传输的效率也有所提高。

DRAM (Dynamic Random-Access Memory)－动态随机存储器

最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM 必须隔一段时间刷新（refresh）一次。如果存储单元没有被刷新，数据就会丢失。

Dual Independent Bus (DI－双重独立总线

英特尔开发的一种总线结构，因为它通过两个分开的总线（前端总线和后端总线）访问处理器，所以DIB能提供更大的带宽。奔腾II电脑就有DIB总线。

ECC（Error Correcting Code）－错误更正码，纠错码

ECC是用来检验存储在DRAM中的整体数据的一种电子方式。ECC在设计上比parity更精巧，它不仅能检测出多位数据错误，同时还可以指定出错的数位并改正。通常ECC每个字节使用3个Bit来纠错，而parity只使用一个Bit。

ECC另有一种解释是Error Checking & Correction ,既错误检查与更正。

带ECC的内存比普通SDRAM内存多1、2个芯片，价格很昂贵，一般用在工作站或服务器上。

EDO DRAM(Extended Data Out DRAM)－扩展数据输出动态存储器

有的也叫Hyper Page Mode DRAM。 EDO的读取方式取消了扩展数据输出内存与传输内存两个存储周期之间的时间间隔，在把数据发送给CPU的同时去访问下一个页面，从而提高了工作效率（约比传统的DRAM快15~30%）。

EDO内存一般为72线（SIMM），也有168线（DIMM），后者多用于苹果公司的Macintosh电脑上。

EDRAM (Enhanced DRAM)－增强型动态随机存储器

动态随机存储器的一种，内部集成2 或 8 Kbit静态随机存储器（SRAM，Static Random Access Memmory），用于缓存读取过的信息。如果下次读取的数据在SRAM内，则直接输出以加快读取速度，否则再到DRAM内寻找。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。

EISA (Extended ISA)－扩展工业标准结构

将附加卡（例如卡、内置式MODEM等）连接到PC机主板的一种总线标准。EISA有一个32位的数据通道，使用能够接受ISA卡的连接器。不过，EISA卡只能与EISA系统匹配。EISA总线的操作频率比ISA高得多，并且能够提供比ISA快得多的数据吞吐率。

EMI （Electron-Magnetic Interference）－电磁干扰

任何产生电磁场的电子设备都会或多或少地产生噪声场，干扰其附近的电子设备，这种现象就叫做电磁干扰。

EMS（Expanded Memory Specification）－扩充内存规范

这是由AST、Intel、微软公司共同开发的一种能让DOS突破640KB寻址范围的规范，可以让DOS对640KB甚至1M之间的地址进行页面式的访问。需要有专用的驱动管理程序支持，如EMM386.EXE

EOS (ECC on SIMM)

IBM公司的一种数据完整性检测技术，它的一个明显特征就是在SIMM（单边接触内存模组）上带有检测数据完整性的ECC（自动检错码）芯片。

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory)－可擦可编程只读存储器

一种可以重复利用的可编程芯片。其内容始终不丢失，除非您用紫外线擦除它。一般给EPROM 编程或擦除内容时，需要用专用的设备。

ESDRAM (Enhanced Synchronous DRAM)－增强型同步动态内存

Enhanced Memory Systems, Inc 公司开发的一种SDRAM，带有一个小型的静态存储器。在嵌入式系统中， ESDRAM代替了昂贵的SRAM （静态随机存储器），其速度与SRAM相当，但成本和耗电量却比后者低得多。

Even Parity－偶校验

一种来检测数据完整性的方法。与奇校验相反，8个数据位与校验位加起来有偶数个1。具体参考Odd Parity奇校验。

FCRAM (Fast-Cycle RAM)－快速周期随机存储器

东芝（Toshiba）和富士通（Fujitsu）公司正在开发的一种内存技术。开发FCRAM 的目的不是用来做PC机的主存，而是用在某些特殊的设备：例如一些高端服务器、打印机，还有一些远程通讯的交换系统。

Fast-Page Mode－快速翻页模式

一种比较老的DRAM。与比它还早的页面模式内存技术相比，它的优势是在访问同一行的数据时速度比较快。

Firmware－固件，韧件

简单地说，就是含有程序的存储器，负责管理所附装置的底层数据和。

Flash Memory－闪烁存储器，闪存

闪烁存储器在断电情况下仍能保持所存储的数据信息，但是数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。区块大小一般由256K到20MB。FLASH这个词最初由东芝因为该芯片的瞬间清除能力而提出。源于EPROM，闪存芯片价格不高，存储容量大。闪存正在成为EPROM的替代品，因为它们很容易被升级。闪存被用于PCMCIA卡，PCMCIA闪存盘，其它形式硬盘，嵌入式控制器和SMART MEDIA。如果闪存或其它相关的衍生技术能够在一定的时间内清除一个字节，那将导致永久性的（不易失）RAM的到来。

Form Factor－形态特征

用来描述硬件的一些技术规格，例如尺寸、配置等。比方说，内存的形态特征有：SIMM（单边）, DIMM（双边）, RIMM（总线式）, 30线, 72线, and 168线。

FPM DRAM (Fast Page Mode DRAM)－快速翻页动态存储器

一种改良型的DRAM，一般为30线或72线内存。

若CPU所需的地址在同一行内，在送出行地址后，就可以连续送出列地址，而不必再输出行地址。一般来讲，程序或数据在内存中排列的地址是连续的，那么输出行地址后连续输出列地址，就可以得到所需数据。这和以前DRAM存取方式相比要先进一些（必须送出行地址、列地址才可读写数据）。

FSB (Frontside Bus)-前端总线

在CPU和内存之间的数据通道。

Gigabyte /GB－吉(咖)字节

约为10亿字节，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) 字节。

Gigabit /Gb－吉(咖)比特，吉位

约为10亿位，准确的数值为1,0243 (1,073,741,824) bit。

Heat Spreader－散热片

覆盖在电子设备上的用于散热的外壳，多为铝制品。

Heat Sink－散热片

CPU上常用的散热部件，一般为锌合金制造。

HY （Hyundai）－韩国现代电子公司

Hyper Page Mode DRAM

同EDO DRAM

IC (Integrated Circuit)－集成电路

半导体芯片上的电路（有时也被称为芯片或微芯片）由成千上万个微小电阻、电容、晶体管组成。半导体芯片通常封装在塑料或者陶瓷的外壳中，导线引脚露在外面。

特殊的IC 根据其作用可以分为线性芯片和数字芯片。

主要的内存IC厂商代号：

代 号

厂商英文名

厂商中文名

代 号

厂商英文名

厂商中文名

KM

SamSung

三星

TC

Toshiba

东芝

LH

Sharp

夏普

MN

Panasonic

松下

HM

Hitachi

日立

HY

Hyundai

现代

M5M

Mitsubishi

三菱

GM

LG_Semicon

金星

MCM

Motorola

摩托罗拉

MSM

OKI

冲电子

MT

Micron

迈克龙

MB

Fujitsu

富士通

TMS

TI

德州仪器

AAA

NMB

1

uPD

NEC

日电

2

3

4

Interleing －交叉存取技术

加快内存速度的一种技术。举例来说，将存储体的奇数地址和偶数地址部分分开，这样当前字节被刷新时，可以不影响下一个字节的访问。

IT (Information Technology)－信息技术

IT行业，指与计算机、网络和通信相关的技术。

JEDEC （Joint Electron Device Engineering Council）

电子元件工业联合会。JEDEC是由生产厂商们制定的国际性协议，主要为计算机内存制定。工业标准的内存通常指的是符合JEDEC标准的一组内存。

Kilobit －千位

约为一千位，准确数值是 210 (1,024) 位。

Kilobyte－千字节

约为一千字节，准确数值是 210 (1,024) 字节。

KingHorse－香港骏一电子公司

香港骏一电子集团有限公司始创于一九九四年一月，公司草创初期主要从事电脑机箱、电源、显示器、键盘、主机板等电脑配件在大陆的销售业务。经过几年的整合，香港骏一以Kinghorse为品牌，专业从事台式计算机、笔记本、服务器、工作站以及计算机设备特种内存产品的研发、生产、销售，在香港及大陆均设有OEM厂家，并致力于中国信息产业的发展而努力。

Kingmax－胜创公司

成立于1989年的胜创科技有限公司是一家名列省前200强的生产企业（Commonwealth Magazine，May 2000），同时也是内存模组的引领生产厂商。除台湾省内的机构之外，胜创科技在全球四大洲拥有9个办事处，公司在美国、中国、澳大利亚和荷兰拥有超过390名员工。

Kingston－金仕顿科技公司

金仕顿科技公司是一家设计和生产用于PC机、服务器、工作站、笔记本、路由器、打印机、和其他一些电子设备内存、处理器的公司。该公司于1987年由杜纪川和孙大卫先生创立，现在已经发展成产品超过2000种、年销售额超过16亿美圆的公司。

Latch－锁存（数据）

锁存器：电子学中的一种电路,可维持所承担的位置或状态,直到由外部手段将其复位到它前一种状态。SRAM就是用锁存器制作的。

L1 (Level 1 Cache) －一级高速缓存

也叫 primary cache，L1 Cache是在处理器上或离处理器最近的一小块高速存储器。 L1 Cache 为处理器提供最常用的数据和指令。

L2(Level 2 Cache)－二级高速缓存

也叫 secondary cache，L2 Cache 是离处理器较近（通常在主板上）的一小块高速存储器。L2 Cache为处理器提供最常用的数据和指令。在主板上的Level 2 cache 可以刷新、升级。

LGS （Goldstar）－金星

主要内存生产厂家

Logic Board－主板

同 Motherboard。

Mask ROM

生产固件时，先制造一颗含有原始数据的ROM作为模板，然后大批生产内容完全相同的ROM。这种方法大批量生产的ROM就叫做Mask ROM

MDRAM （Multibank Dynamic RAM）－多BANK动态内存

MDRAM是MoSys公司开发的一种VRAM（内存），它把内存划分为32KB的一个个BANK（存储库），这些BANK可以单独访问，每个储存库之间以高于外部的数据速度相互连接。其最大特色是具有"高性能、低价位"特性，最大传输率高达666MB/S，一般用于高速显卡。

Megabit －兆位

约为一百万位，准确数值是1,0242 (1,048,576)位。

Megabyte－兆字节

约为一百万字节，准确数值是1,0242 (1,048,576)字节。

Memory －存储器，记忆体，内存

一般指电脑的RAM（random access memory）随机存储器，其主要用途是读取程序和临时保存数据；最为常见的内存芯片是DRAM。这一术语有时也用来指所有的用来存储数据的电子设备。

Memory Bank－存储体，〔记忆库〕

由一些地址相邻的存储单元组成的一种存储块，其大小由所在的计算机决定。比方说，32位的CPU必须使用一次能提供32位信息的memory bank。一个bank可能由一个或多个内存模组构成。

Memory Bus－内存总线

从CPU到内存扩展槽的数据总线。

Memory Controller Hub (MCH)－内存控制中心

Intel 8xx（例如820或840）芯片组中用于控制P、CPU、内存（RDRAM）等组件工作的芯片。

Memory Translator Hub (MTH)－内存转译中心

一种内存接口，通过它可以使Intel 820芯片组的主板的Direct Rambus 信道支持SDRAM内存。

Micro BGA (μBGA)－缩微型球状引脚栅格阵列封装

Tessera, Inc. 公司开发的的一种BGA 芯片封装技术，主要用于高频工作的RDRAM。这种技术能把芯片尺寸做得更小，提高了散热性，使内存条的数据密度增大了。

MIT （Mitsubishi）－日本三菱公司

Motherboard－主板

也叫logic board、main board或 computer board，是计算机系统的主体部分。电脑的CPU、内存、输入输出接口和扩展槽等大部分硬件都安装在主板上面。

Ms (millisecond) －毫秒

千分之一秒。

Multi-Way Interleed

多重交错式内存存取结构，巫毒卡2代所取的一种技术。

Nanosecond (ns)－纳秒,〔末秒,毫微秒〕

十亿分之一（10-9）秒。 内存的数据存取时间以纳秒为单位。

Nibble －半字节, 四位字节

Non-Composite

苹果电脑的内存术语，表示一种用了新技术的内存条。该内存条上的芯片颗粒很少，但数据密度却非常高。Non-composite 内存条比 composite 内存条工作更可靠，但价格也相对很高。

Odd Parity－奇校验

校核数据完整性的一种方法，一个字节的8个数据位与校验位（parity bit ）加起来之和有奇数个1。校验线路在收到数后，通过发生器在校验位填上0或1，以保证和是奇数个1。因此，校验位是0时，数据位中应该有奇数个1；而校验位是1时，数据位应该有偶数个1。如果读取数据时发现与此规则不符，CPU会下令重新传输数据。

Page mode－页面模式

现在该技术已经被淘汰。在页面模式下，每次访问DRAM的同一行的每一列时，都会十分迅速。（参考FPM）

Parity：（Even / Odd）－奇偶校验

也叫Parity Check，在每个字节（Byte）上加一个数据位（Data Bit）对数据进行检查的一种冗余校验法。它是根据二进制字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数来进行校验的。在二进制字节中增加了一个附加位，用来表示该字节中的"0"或"1"的数目是奇数还是偶数。经过传输或存储后，再计算一次校验和（Checksum），如果与附加位一致，证明传输或存储中没有错误。

奇偶校验位主要用来检查其它8位（1 Byte）上的错误，但是它不象ECC（Error Correcting Code错误更正码），parity只能检查出错误而不能更正错误。奇偶校验的致命弱点是检查出错误后无法断定错在哪一位，容易死机，所以现在很少用了。取而代之的是ECC。

PB-SRAM （Pipelined Burst SRAM）－管道突发式静态内存

属于Level 2 Cache，多用于486后期及Pentium以上的主板。

PC100

JEDEC 和Intel制定的一种SDRA

BIOS是什么意思

计算机英文术语完全介绍

1、CPU

3DNow!（3D no waiting）

ALU（Arithmetic Logic Unit，算术逻辑单元）

U（Address Generation Units，地址产成单元）

BGA（Ball Grid Array，球状矩阵排列）

BHT（branch prediction table，分支预测表）

BPU（Branch Processing Unit，分支处理单元）

Brach Pediction（分支预测）

CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor，互补金属氧化物半导体）

CISC（Complex Instruction Set Computing，复杂指令集计算机）

CLK（Clock Cycle，时钟周期）

COB（Cache on board，板上集成缓存）

COD（Cache on Die，芯片内集成缓存）

CPGA（Ceramic Pin Grid Array，陶瓷针型栅格数组）

CPU（Center Processing Unit，中央处理器）

Data Forwarding（数据前送）

Decode（指令译码）

DIB（Dual Independent Bus，双独立总线）

EC（Embedded Controller，嵌入式控制器）

Embedded Chips（嵌入式处理器）

EPIC（explicitly parallel instruction code，并行指令代码）

FADD（Floationg Point Addition，浮点加）

FCPGA（Flip Chip Pin Grid Array，反转芯片针脚栅格数组）

FDIV（Floationg Point Divide，浮点除）

FEMMS（Fast Entry/Exit Multimedia State，快速进入/退出多媒体状态）

FFT（fast Fourier transform，快速热奥姆转换）

FID（FID：Frequency identify，频率鉴别号码）

FIFO（First Input First Output，先入先出队列）

flip-chip（芯片反转）

FLOP（Floating Point Operations Per Second，浮点操作/秒）

FMUL（Floationg Point Multiplication，浮点乘）

FPU（Float Point Unit，浮点运算单元）

FSUB（Floationg Point Suraction，浮点减）

HL-PBGA（表面黏着，高耐热、轻薄型塑料球状矩阵封装）

IA（Intel Architecture，英特尔架构）

ICU（Instruction Control Unit，指令控制单元）

ID（identify，鉴别号码）

IDF（Intel Developer Forum，英特尔开发者论坛）

IEU（Integer Execution Units，整数执行单元）

IMM（Intel Mobile Module，英特尔移动模块）

Instructions Cache（指令缓存）

Instruction Coloring（指令分类）

IPC（Instructions Per Clock Cycle，指令/时钟周期）

ISA（instruction set architecture，指令集架构）

KNI（Katmai New Instructions，Katmai新指令集，即SSE）

Latency（潜伏期）

LDT（Lightning Data Transport，闪电数据传输总线）

Local Interconnect（局域互连）

MESI（Modified，Exclusive，Shared，Invalid：修改、排除、共享、废弃）

MMX（MultiMedia Extensions，多媒体扩展指令集）

MMU（Multimedia Unit，多媒体单元）

MFLOPS（Million Floationg Point/Second，每秒百万个浮点操作）

MHz（Million Hertz，兆赫兹）

MP（Multi-Processing，多重处理器架构）

MPS（MultiProcessor Specification，多重处理器规范）

MSRs（Model-Specific Registers，特别模块寄存器）

NAOC（no-account OverClock，无效超频）

NI（Non－Intel，非英特尔）

OLGA（Organic Land Grid Array，基板栅格数组）

OoO（Out of Order，乱序执行）

PGA（Pin-Grid Array，引脚网格数组，耗电大）

PR（Performance Rate，性能比率）

PSN（Processor Serial numbers，处理器序列号）

PIB（Processor In a Box，盒装处理器）

PPGA（Plastic Pin Grid Array，塑料针状矩阵封装）

PQFP（Plastic Quad Flat Package，塑料方块平面封装）

RAW（Read after Write，写后读）

Register Contention（抢占寄存器）

Register Pressure（寄存器不足）

Register Renaming（寄存器重命名）

Remark（芯片频率重标识）

Resource contention（冲突）

Retirement（指令引退）

RISC（Reduced Instruction Set Computing，精简指令集计算机）

SEC（Single Edge Connector，单边连接器）

Shallow-trench isolation（浅槽隔离）

SIMD（Single Instruction Multiple Data，单指令多数据流）

SiO2F（Fluorided Silicon Oxide，二氧氟化硅）

SMI（System Management Interrupt，系统管理中断）

SMM（System Management Mode，系统管理模式）

SMP（Symmetric Multi-Processing，对称式多重处理架构）

SOI（Silicon-on-insulator，绝缘体硅片）

SONC（System on a chip，系统集成芯片）

SPEC（System Performance Evaluation Corporation，系统性能评估测试）

SQRT（Square Root Calculations，平方根计算）

SSE（Streaming SIMD Extensions，单一指令多数据流扩展）

Superscalar（超标量体系结构）

TCP（Tape Carrier Package，薄膜封装，发热小）

Throughput（吞吐量）

TLB（Translate Look side Buffers，翻译旁视缓冲器）

USWC（Uncacheabled Speculative Write Combination，无缓冲随机联合写操作）

VALU（Vector Arithmetic Logic Unit，向量算术逻辑单元）

VLIW（Very Long Instruction Word，超长指令字）

VPU（Vector Permutate Unit，向量排列单元）

VPU（vector processing units，向量处理单元，即处理MMX、SSE等SIMD指令的地方）

2、主板

ADIMM（advanced Dual In-line Memory Modules，高级双重内嵌式内存模块）

AMR（Audio／Modem Riser；音效／调制解调器主机板附加直立插卡）

AHA（Accelerated Hub Architecture，加速中心架构）

ASK IR（Amplitude Shift Keyed Infra-Red，长波形可移动输入红外线）

ATX（AT Extend，扩展型AT）

BIOS（Basic Input/Output System，基本输入/输出系统）

CSE（Configuration Space Enable，可分配空间）

DB（Device Bay，设备插架）

DMI（Desktop Management Interface，桌面管理接口）

EB（Expansion Bus，扩展总线）

EISA（Enhanced Industry Standard Architecture，增强形工业标准架构）

EMI（Electromagnetic Interference，电磁干扰）

ESCD（Extended System Configuration Data，可扩展系统配置数据）

FBC（Frame Buffer Cache，帧缓冲缓存）

FireWire（火线，即IEEE1394标准）

FSB（Front Side Bus，前置总线，即外部总线）

FWH（ Firmware Hub，固件中心）

GMCH（Graphics & Memory Controller Hub，图形和内存控制中心）

GPIs（General Purpose Inputs，普通操作输入）

ICH（Input/Output Controller Hub，输入/输出控制中心）

IR（infrared ray，红外线）

IrDA（infrared ray，红外线通信接口可进行局域网存取和档共享）

ISA（Industry Standard Architecture，工业标准架构）

ISA（instruction set architecture，工业设置架构）

MDC（Mobile Daughter Card，移动式子卡）

MRH-R（Memory Repeater Hub，内存数据处理中心）

MRH-S（SDRAM Repeater Hub，SDRAM数据处理中心）

MTH（Memory Transfer Hub，内存转换中心）

NGIO（Next Generation Input/Output，新一代输入/输出标准）

P64H（64-bit PCI Controller Hub，64位PCI控制中心）

PCB（printed circuit board，印刷电路板）

PCBA（Printed Circuit Board Assembly，印刷电路板装配）

PCI（Peripheral Component Interconnect，互连设备）

PCI SIG（Peripheral Component Interconnect Special Interest Group，互连设备专业组）

POST（Power On Self Test，加电自测试）

RNG（Random number Generator，随机数字发生器）

RTC（Real Time Clock，实时时钟）

KBC（KeyBroad Control，键盘控制器）

SBA（Side Band Addressing，边带寻址）

SMA（Share Memory Architecture，共享内存结构）

STD（Suspend To Disk，磁盘唤醒）

STR（Suspend To RAM，内存唤醒）

SVR（Switching Voltage Regulator，交换式电压调节）

USB（Universal Serial Bus，通用串行总线）

USDM（Unified System Diagnostic Manager，统一系统监测管理器）

VID（Voltage Identification Definition，电压识别认证）

VRM （Voltage Regulator Module，电压调整模块）

ZIF（Zero Insertion Force，零插力）

主板技术

技嘉

ACOPS: Automatic CPU OverHeat Prevention System（CPU过热预防系统）

SIV: System Information Viewer（系统信息观察）

盘英

ESDJ（Easy Setting Dual Jumper，简化CPU双重跳线法）

浩鑫

UPT（USB、PANEL、LINK、TV-OUT四重界面）

芯片组

ACPI（Advanced Configuration and Power Interface，先进设置和电源管理）

P（Accelerated Graphics Port，图形加速接口）

I/O（Input/Output，输入/输出）

MIOC（Memory and I/O Bridge Controller，内存和I/O桥控制器）

NBC（North Bridge Chip，北桥芯片）

PIIX（PCI ISA/IDE Accelerator，加速器）

PSE36（Page Size Extension 36－bit，36位页面尺寸扩展模式）

PXB（PCI Expander Bridge，PCI增强桥）

RCG（RAS/CAS Generator，RAS/CAS发生器）

SBC（South Bridge Chip，南桥芯片）

SMB（System Management Bus，全系统管理总线）

SPD（Serial Presence Detect，内存内部序号检测装置）

SSB（Super South Bridge，超级南桥芯片）

TDP（Triton Data Path，数据路径）

TSC（Triton System Controller，系统控制器）

QPA（Quad Port Acceleration，四界面加速）

3、显示设备

ASIC（Application Specific Integrated Circuit，特殊应用集成电路）

ASC（Auto-Sizing and Centering，自动调效屏幕尺寸和中心位置）

BLA（Bearn Landing Area，电子束落区）

CRC（Cyclical Redundancy Check，循环冗余检查）

CRT（Cathode Ray Tube，阴极射线管）

DDC（Display Data Channel，显示数据信道）

DFL（Dynamic Focus Lens，动态聚焦）

DFS（Digital Flex Scan，数字伸缩扫描）

DIC（Digital Image Control，数字图像控制）

Digital Multiscan II（数字式智能多频追踪）

DLP（digital Light Processing，数字光处理）

DOSD（Digital On Screen Display，同屏数字化显示）

DPMS（Display Power Management Signalling，显示能源管理信号）

DQL（Dynamic Quadrapole Lens，动态四极镜）

DSP（Digital Signal Processing，数字信号处理）

EFEAL（Extended Field Elliptical Aperture Lens，可扩展扫描椭圆孔镜头）

FRC（Frame Rate Control，帧比率控制）

LCD（liquid crystal display，液晶显示屏）

LCOS（Liquid Crystal On Silicon，硅上液晶）

LED（light emitting diode，光学二级管）

L-SIC（Low Power-Small Aperture G1 wiht Impregnated Cathode，低电压光圈阴极管）

LVDS（Low Voltage Differential Signal，低电压差动信号）

MALS（Multi Astigmatism Lens System，多重散光聚焦系统）

MDA（Monochrome Adapter，单色设备）

MS（Magnetic Sensors，磁场感应器）

Porous Tungsten（活性钨）

RSDS（Reduced Swing Differential Signal，小幅度摆动差动信号）

Shadow Mask（阴罩式）

TDT（Timeing Detection Table，资料测定表）

TICRG（Tungsten Impregnated Cathode Ray Gun，钨传输阴级射线枪）

TFT（thin film transistor，薄膜晶体管）

VP（Variable Aperature Grille Pitch，可变间距光栅）

VBI（Vertical Blanking Interval，垂直空白间隙）

VDT（Video Display Terminals，显示终端）

VRR（Vertical Refresh Rate，垂直扫描频率）

4、

3D（Three Dimensional，三维）

3DS（3D SubSystem，三维子系统）

AE（Atmospheric Effects，雾化效果）

AFR（Alternate Frame Rendering，交替渲染技术）

Anisotropic Filtering（各向异性过滤）

APPE（Advanced Packet Parsing Engine，增强形帧解析引擎）

AV（Analog Video，模拟）

Back Buffer（后置缓冲）

Backface culling（隐面消除）

Battle for Eyeballs（眼球大战，各3D图形芯片公司为了争夺用户而作的竞争）

Bilinear Filtering（双线性过滤）

CG（Computer Graphics，计算机生成图像）

Clipping（剪贴纹理）

Clock Synthesizer（时钟合成器）

compressed textures（压缩纹理）

Concurrent Command Engine（协作命令引擎）

Center Processing Unit Utilization(中央处理器占用率)

DAC（Digital to Analog Converter，数模传换器）

Decal（印花法，用于生成一些半透明效果，如：鲜血飞溅的场面）

DFP（Digital Flat Panel，数字式平面显示器）

DFS: Dynamic Flat Shading（动态平面描影，可用作加速）

Dithering（抖动）

Directional Light（方向性光源）

DME: Direct Memory Execute（直接内存执行）

DOF（Depth of Field，多重境深）

dot texture blending（点型纹理混和）

Double Buffering（双缓冲区）

DIR（Direct Rendering Infrastructure，基层直接渲染）

DVI（Digital Video Interface，数字接口）

DxR（DynamicXTended Resolution，动态可扩展分辨率）

DXTC（Direct X Texture Compress，DirectX纹理压缩，以S3TC为基础）

Dynamic Z-buffering（动态Z轴缓冲区），显示物体远近，可用作远景

E-DDC（Enhanced Display Data Channel，增强形数据信道协议，定义了显示输出与主系统之间的通讯信道，能提高显示输出的画面质量）

Edge Anti－aliasing（边缘抗锯齿失真）

E-EDID（Enhanced Extended Identification Data，增强形扩充身份辨识数据，定义了计算机通讯主系统的数据格式）

Execute Buffers（执行缓冲区）

environment med bump ming（环境凹凸映射）

Extended Burst Transactions（增强式突发处理）

Front Buffer（前置缓冲）

Flat（平面描影）

Frames rate is King（帧数为王）

FSAA（Full Scene Anti－aliasing，全景抗锯齿失真）

Fog（雾化效果）

flip double buffered（反转双缓存）

fog table quality（雾化表画质）

GART（Graphic Address Remng Table，图形地址重绘表）

Gouraud Shading（高洛德描影，也称为内插法均匀涂色）

GPU（Graphics Processing Unit，图形处理器）

GTF（Generalized Timing Formula，一般程序时间，定义了产生画面所需要的时间，包括了诸如画面刷新率等）

HAL（Hardware Abstraction Layer，硬件抽像化层）

hardware motion compensation（硬件运动补偿）

HDTV（high definition television，晰度电视）

HEL: Hardware Emulation Layer（硬件模拟层）

high triangle count（复杂三角形计数）

5、音频

3DPA（3D Positional Audio，3D定位音频）

AC（Audio Codec，音频多媒体数字信号编译码器）

Auxiliary Input（输入接口）

CS（Channel Separation，声道分离）

DS3D（DirectSound 3D Streams）

DSD（Direct Stream Digital，直接数字信号流）

DSL（Down Loadable Sample，可下载的取样音色）

DLS-2（Downloadable Sounds Level 2，第二代可下载音色）

EAX（Environmental Audio Extensions，环境音效扩展技术）

FM（Frequency Modulation，频率调制）

FR（Frequence Response，频率响应）

FSE（Frequency Shifter Effect，频率转换效果）

HRTF（Head Related Transfer Function，头部关联传输功能）

IAS（Interactive Around-Sound，交互式环绕声）

MIDI（Musical Instrument Digital Interface，乐器数字接口）

NDA（non-DWORD-aligned ，非DWORD排列）

Raw PCM: Raw Pulse Code Modulated（元脉码调制）

RMA（RealMedia Architecture，实媒体架构）

RTSP（Real Time Streaming Protocol，实时流协议）

SACD（Super Audio CD，超级音乐CD）

SNR（Signal to Noise Ratio，信噪比）

S/PDIF（Sony/Phillips Digital Interface，索尼/飞利普数字接口）

SRS（Sound Retrieval System，声音修复系统）

Super Intelligent Sound ASIC（超级智慧音频集成电路）

THD+N（Total Harmonic Distortion plus Noise，总谐波失真加噪音）

QEM（QSound Environmental Modeling，QSound环境建模）

WG（We Guide，波导合成）

WT（We Table，波表合成）

6、RAM&ROM

ABP（Address Bit Permuting，地址位序列改变）

ATC（Access Time from Clock，时钟存取时间）

BSRAM（Burst pipelined synchronous static RAM，突发式管道同步静态内存）

CAS（Column Address Strobe，列地址控制器）

CCT（Clock Cycle Time，时钟周期）

DB（Deep Buffer，深度缓冲）

DDR SDRAM（Double Date Rate，双数据率SDRAM）

DIL（dual-in-line）

DIMM（Dual In-line Memory Modules，双重内嵌式内存模块）

DRAM（Dynamic Random Access Memory，动态随机内存）

DRDRAM（Direct RAMbus DRAM，直接RAMbus内存）

ECC（Error Checking and Correction，错误检查修正）

EEPROM（Electrically Erasable Programmable ROM,电擦写可编程只读存储器）

FM（Flash Memory，闪存）

FMD ROM （Fluorescent Material Read Only Memory，荧光质只读存储器）

PIROM（Processor Information ROM，处理器信息ROM）

PLEDM（Phase-state Low Electron（hole）-number Drive Memory）

RAC（Rambus Asic Cell，Rambus集成电路单元）

RAS（Row Address Strobe，行地址控制器）

RDRAM（Rambus Direct RAM，直接型RambusRAM）

DIMM（RAMBUS In-line Memory Modules，RAMBUS内嵌式内存模块）

SDR SDRAM（Single Date Rate，单数据率SDRAM）

SGRAM（synchronous graphics RAM，同步图形随机储存器）

SO-DIMM（Small Outline Dual In-line Memory Modules，小型双重内嵌式内存模块）

SPD（Serial Presence Detect，串行存在检查）

SRAM（Static Random Access Memory，静态随机内存）

SSTL-2（Stub Series Terminated Logic-2）

TSOPs（thin small outline packages，超小型封装）

USWV（Uncacheable，Speculative，Write-Combining非缓冲随机混合写入）

VCMA（Virtual Channel Memory architecture，虚拟信道内存结构）

7、磁盘

AAT（Average access time，平均存取时间）

ABS（Auto Balance System，自动平衡系统）

ASMO（Advanced Storage Magneto-Optical，增强形光学内存）

AST（Average Seek time，平均寻道时间）

ATA（AT Attachment，AT扩展型）

ATOMM（Advanced super Thin-layer and high-Output Metal Media，增强形超薄高速金属媒体）

bps（bit per second，位/秒）

CSS（Common Command Set，通用指令集）

DMA（Direct Memory Access，直接内存存取）

DVD（Digital Video Disk，数字光盘）

EIDE（enhanced Integrated Drive Electronics，增强形电子集成驱动器）

FAT（File Allocation Tables，文件分配表）

FDBM（Fluid dynamic bearing motors，液态轴承马达）

FDC（Floppy Disk Controller，软盘驱动器控制装置）

FDD（Floppy Disk Driver，软盘驱动器）

GMR（giant magnetoresistive，巨型磁阻）

HDA（head disk assembly，磁头集合）

HiFD（high-capacity floppy disk，高容量软盘）

IDE（Integrated Drive Electronics，电子集成驱动器）

LBA（Logical Block Addressing，逻辑块寻址）

MBR（Master Boot Record，主引导记录）

MTBF（Mean Time Before Failure，平均故障时间）

PIO（Programmed Input Output，可编程输入输出模式）

PRML（Partial Response Maximum Likelihood，最大可能部分反应，用于提高磁盘读写传输率）

RPM（Rotation Per Minute，转/分）

RSD（Removable Storage Device，移动式存储设备）

SCSI（Small Computer System Interface，小型计算机系统接口）

SCMA（SCSI Configured Auto Magically，SCSI自动配置）

S.M.A.R.T.（Self-Monitoring, Analysis and Reporting Technology，自动监测、分析和报告技术）

SPS（Shock Protection System，抗震保护系统）

Ultra DMA（Ultra Direct Memory Access，超高速直接内存存取）

LVD（Low Voltage Differential）

Seagate硬盘技术

DiscWizard（磁盘控制软件）

DST（Drive Self Test，磁盘自检程序）

SeaShield（防静电防撞击外壳）

8、光驱

ATAPI（AT Attachment Packet Interface）

BCF（Boot Catalog File，启动目录文件）

BIF（Boot Image File，启动映射档）

CDR（CD Recordable，可记录光盘）

CD-ROM/XA（CD－ROM eXtended Architecture，只读光盘增强形架构）

CDRW（CD-Rewritable，可重复刻录光盘）

CLV（Constant Linear Velocity，恒定线速度）

DAE（digital Audio Extraction，资料音频抓取）

DDSS（Double Dynamic Suspension System，双悬浮动态减震系统）

DDSS II（Double Dynamic Suspension System II，第二代双层动力悬吊系统）

PCAV（Part Constant Angular Velocity，部分恒定角速度）

VCD（Video CD，CD）

9、打印机

AAS（Automatic Area Seagment?）

dpi（dot per inch，每英寸的打印像素）

ECP（Extended Capabilities Port，延长能力埠）

EPP（Enhanced Parallel Port，增强形并行接口）

IPP（Internet Printing Protocol，因特网打印协议）

ppm（paper per minute，页/分）

SPP（Standard Parallel Port，标准并行口）

TET（Text Enhanced Technology，文本增强技术）

USBDCDPD（Universal Serial Bus Device Class Definition for Printing Devices，打印设备的通用串行总线级标准）

VD（Variable Dot，变点式打印）

10、扫描仪

TWAIN（Toolkit Without An Interesting Name，协议）

BIOS 即基本输入输出系统，设置程序是被固化到计算机主板上的CMOS芯片中的一组程序，其主要功能是为计算机提供最底层的、最直接的硬件设置和控制。BIOS只有在开机时才可以进行设置，主要对技巧的基本输入输出系统进行管理和设置，使系统运行在最好状态下，使用BIOS设置程序可以排除系统故障或者诊断系统问题。

目前主板BIOS有三大类型，即AWARD AMI和PHOENIX三种。不过，PHOENIX已经合并了AWARD。

　开启计算机或重新启动计算机后，在屏幕显示“CD……”时，按下“Del”键就可以进入BIOS的设置界面，如果按得太晚，计算机将会启动系统，这时只有重新启动计算机了。进入后，你可以用方向键移动光标选择设置选项，然后按Enter进入副选单，用ESC键来返回父菜单，用PE UP和PE DOWN键来选择具体选项，F10键保留并退出BIOS设置。

初学者在不熟悉的情况下，切不可随意修改其选项设置，一般可使用下述选项恢复、优化你的电脑：

Award

LOAD BIOS DEFAULTS（载入BIOS预设值），此选项用来载入BIOS初始设置值，用来确定故障范围。

LOAD OPRIMUM SETTINGS（载入主板BIOS出厂设置），这是出厂的BIOS的优化置。

或AML

LOAD BIOS SETUP DEFAULTS（载入BIOS设定缺省值），此选项用来载入BIOS初始设置。

LOAD HIGH PERFORMANCE DEFAULTS（高性能缺省值），此选项用来载入BIOS优化设置。

用键盘方向键选定初始值或优化值后按ESC键，按F10，Y键，或选SAVE&EXIT SETUP（储存并退出设置），保存已经更改的设置并退出BIOS设置。

当然通过学习，你自然可以设置更改你要设置的选项了。